厚膜电阻,最小达0075微型化尺寸 提供全无铅厚膜芯片电阻与特殊应用之厚膜芯片电阻 工业等级抗硫化产品

为确保电路的安全，关键在可靠的电流测定以保护，控制以及监控操作的电源及仪表系统。

薄膜芯片电阻提供高精密度，高稳定性，±0.1％的窄公差和±25ppm/℃的低TCR。

高压电阻系列产品 ，最适用于工业自动化，电源及电池充电器。

无铅芯片电阻符合RoHS排外条款（7C-1）的所有焊接工艺兼容。该系列产品是在自动放置表面安装应用有着高度的稳定。

硫化贴片电阻包含厚膜及薄膜的电阻式技术，在含硫的环境下有卓越的性能 。

抗浪涌电阻提供优异的脉冲负载性能。

陶瓷电容以满足电子设备的所有要求。无磁性、可靠且通过IEC60068认证; 鉴于环境保护责任，产品符合RoHS和无卤素标准。

软端电极电容可以抵抗至少3mm的boardflex, 可以灵活运用在终端系统上。这些软端电极电容在高应力弯曲的电路板、电源供应切换和基地台具有良好的表现力。

薄膜与纸质电容采用表面贴装和通孔形式，可用于各种行业的所有电子设备，如电力与替代能源、工业、电信、汽车、军事、医疗及消费类电子等应用。

是一款4合1电容。排容可以节省空间，提高生产效率。

聚合物电容已成为寻求低ESR、高容值、长寿命、小尺寸、薄型机高纹波电流处理能力的应用的最佳电容解决方案。固态电解电容与导电聚合物阴极的搭配使用成为业界具有最低ESR的超高能量密度电容解决方案。

贴片热敏电阻采用锰、钴、镍等金属氧化物经高温烧制而成的半导体电阻器，对温度变化的敏感度极高， 电阻值随着本体温度升高而降低，用于线路中温度检测和控制。

贴片压敏压敏电阻器，具备寄生电感小、体积小、SMT效率高、响应时间短、工作温度高、保护能力强的优势。

体积小 漏磁小，不产生耦合，可靠性高 无引线，不产生跟踪性，适合高密度表面贴装 优良的可焊性及耐热冲击性，适合波峰焊及回流焊

体积小，适合高密度表面贴装； 采用端电极结构，很好地抑制了引线引起的寄生元件效应，具有高可靠性； 精度高、Q值高； 优良的焊接性和耐焊性。

片式共模电感具有小型化、高品质、高储能、低电阻的特点。底部表面平整，适合表面安装，端部强度好，可焊性好，漏磁低，直接电阻低，电流电阻大。

都能抑制高频信号。磁环加上穿过它的导线，一定程度上相当于增大了导线的电感，这也与电感类似。磁环具有高损耗系数，可把高频电磁能量通过涡流转换成热能，从而抑制高频信号的通过，属于损耗滤波器类。

片式铁氧体磁珠是应用最为广泛的EMI抑制元件，一般根据生产厂家提供的数据和阻抗频率曲线选择使用。厂家通常提供阻抗、直流电阻、额定电流等数据和阻抗频率曲线。

体积小、漏电流和介质损耗小，频率及温度特性好，寿命长，可靠性高、稳定性好，而且有很宽的工作温度范围，长时间工作和搁置后性能稳定。

具有长寿命、低阻抗、低ESR、耐清洗。

牛角型电解电容器有优良的高频、超长寿命、高可靠性、高纹波电流特性

圆柱形、金属外壳、单向引出、引出方式为螺栓式,有极性、有压力释放装置(采用点动防燃装置，当电容器内压增加或产品发生击穿时不会有易燃品飞出)

固态电容是采用固态导电高分子材料取代电解液作为阴极，取得了革新性发展。导电高分子材料的导电能力通常要比电解液高2～3个数量级，应用于铝电解电容可以大大降低ESR、改善温度频率特性。

肖特基势垒二极管SBD（Schottky Barrier Diode，简称肖特基二极管）是近年来间世的低功耗、大电流、超高速半导体器件。

交流电抗器也叫AC扼流圈，AC扼流圈可在共模，普通模式和双模式下使用。我们的扼流圈是由多种芯材制成的，这些芯材允许各种形状因数和磁导率水平，以将衰减的噪声集中在宽频带或集中频带上。

直流电抗器利用流过线圈的电流的磁通量来屏蔽某些频率。KEMET的共模和普通模式扼流圈产品组合适用于各种应用

脉冲变压器是经过特殊设计的共模扼流圈，可滤除来自电力线通信的电源变压器或调制解调器的模拟前端的任何共模EMI电流。

KEMET提供广泛的电源直通EMI / RFI滤波器，以解决由于发电系统的开关元件产生的高功率瞬变而引起的常见干扰。

导线电阻具备小体积、高精密、高压、保险丝熔断、超低阻值和大功率等多样特性

高功率电阻具有体积小、重量轻、安装密度高，抗震性强．抗干扰能力强，高频特性好。

瓷介电容是用高介电常数的电容器陶瓷〈钛酸钡一氧化钛〉挤压成圆管、圆片或圆盘作为介质，并用烧渗法将银镀在陶瓷上作为电极制成。

开关二极管是半导体二极管的一种，是为在电路上进行"开"、"关"而特殊设计制造的一类二极管。

快恢复二极管（简称FRD）是一种具有开关特性好、反向恢复时间短特点的半导体二极管，主要应用于开关电源、PWM脉宽调制器、变频器等电子电路中，作为高频整流二极管、续流二极管或阻尼二极管使用。

桥式整流器是一种电子元件，内部由多个二极管组成。主要作用是整流，调整电流方向

一种将交流电能转变为直流电能的半导体器件。通常它包含一个PN结，有正极和负极两个端子。

瞬态电压抑制二极管（Transient voltage suppression diode）也称为TVS二极管，是一种保护用的电子零件，可以保护电器设备不受导线引入的电压尖峰破坏。

晶体管（transistor）是一种固体半导体器件（包括二极管、三极管、场效应管、晶闸管等，有时特指双极型器件），具有检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制等多种功能。晶体管作为一种可变电流开关，能够基于输入电压控制输出电流。与普通机械开关（如Relay、switch）不同，晶体管利用电信号来控制自身的开合，所以开关速度可以非常快，实验室中的切换速度可达100GHz以上。

数字三极管（Digital triode），是带电阻的晶体管, 有的仅在基极上串联一只电阻, 一般称为R1 , 有的在基极与发射极之间还并联一只电阻R2 。电阻R1有多种电阻, 类似标准电阻系列配制,电阻R2情况类似R1 , , 电阻R1 与电阻R2 可按多种方式搭配, 因此数字三极管的品种很多。

达林顿管就是两个三极管接在一起，极性只认前面的三极管。具体接法如下，以两个相同极性的三极管为例，前面三极管集电极跟后面三极管集电极相接，前面三极管发射极跟后面三极管基极相接，前面三极管功率一般比后面三极管小，前面三极管基极为达林顿管基极，后面三极管发射极为达林顿管发射极，用法跟三极管一样，放大倍数是两个三极管放大倍数的乘积

桥式整流器是一种电子元件，内部由多个二极管组成。主要作用是整流，调整电流方向

钽电容是电容器中体积小而又能达到较大电容量的产品，是1956年由美国贝尔实验室首先研制成功的，它的性能优异。钽电容器不仅在军事通讯，航天等领域应用，而且钽电容还在工业控制、影视设备、通讯仪表等产品中大量使用

超级结 MOS也叫Super Junction MOSFET，是在普通MOS基础上使用新型超结结构设计的MOS管。超结MOS管主要在500V、600V、650V及以上高电压场合使用。